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SiO$$_{2}$$中のポジトロニウム形成

Positronium formation in SiO$$_{2}$$

小室 葉; 平出 哲也; 鈴木 良一*; 大平 俊行*; 村松 誠*

Komuro, Yo; Hirade, Tetsuya; Suzuki, Ryoichi*; Odaira, Toshiyuki*; Muramatsu, Makoto*

パラ-ポジトロニウム成分からの消滅$$gamma$$線はほかの過程からの消滅$$gamma$$線に比べ、ドップラー広がりが小さい。パラ-ポジトロニウムからの消滅過程と考えられる初期の成分において短寿命側でドップラー広がりが大きくなる現象(Young-ageブロードニング)があるが、この現象は、ポジトロニウムの熱化、ポジトロニウムの遅延形成の影響によると考えられるが、実験により、遅延形成の存在を示すことに成功した。

The annihilation $$gamma$$ rays from the para-pojitoronium (p-Ps) state gives narrower Doppler broadening. The broader Doppler broadening was observed at very young age region that is mainly from the annihilation process of p-Ps. It was explained by the delayed Ps slowing down and the delayed Ps formation. We have successfully obtained the experimental evidence of the delayed Ps formation.

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