全反射高速陽電子回折による金属表面上のグラフェン・シリセンの構造決定
Structure determinations of graphene and silicene on metal surfaces using total-reflection high-energy positron diffraction
深谷 有喜
Fukaya, Yuki
本稿では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による金属基板上のグラフェンとシリセン(グラフェンのシリコン版)の構造決定について紹介する。グラフェン(シリセン)におけるバックリング(座屈構造)の有無や基板との間隔は、基板上に吸着したグラフェン(シリセン)の物性の起源を調べるうえで重要な因子である。本研究では、TRHEPDの表面敏感性を利用して、CoとCu基板上のグラフェンとAg基板上のシリセンにおけるこれらの構造パラメータを決定した。
no abstracts in English
使用言語 : Japanese
掲載資料名 : 表面科学
: 37
: 11
ページ数 : p.547 - 552
発行年月 : 2016/11
出版社名 : 日本表面科学会
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広報プレスリリース :
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登録番号 : AA20160410
抄録集掲載番号 : 45000064
論文投稿番号 : 18400
Accesses  (From Jun. 2, 2014)
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