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全反射高速陽電子回折による金属表面上のグラフェン・シリセンの構造決定

Structure determinations of graphene and silicene on metal surfaces using total-reflection high-energy positron diffraction

深谷 有喜

Fukaya, Yuki

本稿では、全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による金属基板上のグラフェンとシリセン(グラフェンのシリコン版)の構造決定について紹介する。グラフェン(シリセン)におけるバックリング(座屈構造)の有無や基板との間隔は、基板上に吸着したグラフェン(シリセン)の物性の起源を調べるうえで重要な因子である。本研究では、TRHEPDの表面敏感性を利用して、CoとCu基板上のグラフェンとAg基板上のシリセンにおけるこれらの構造パラメータを決定した。

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